中国距离EUV光刻开发的机器更近，但是ASML首席执行官仍然很艰难

众所周知，只有当前的ASML才能在世界范围内构建EUV光刻引擎。 EUV光刻机是所有芯片制造公司进入7nm以下流程的必要设备。因此，它等同于ASML阻碍了全球所有制作公司的脖子。只要您想在7nm以下输入，就需要找到ASML。但是，当ASML出售ASML光刻机器时，无论它说什么，美国都需要倾听，并且美国不允许ASML将EUV出售给中国。因此，只需构建我们自己的EUV光刻机器，我们就可以将芯片制作到7nm以下。尽管DUV似乎还可以，但需要大量的曝光，但产量太低，成本太高了SA质量。因此，中国努力取得突破，这些突破很快就会建造自己的EUV光刻机器，然后禁令和其他事情将是废纸。最基本的EUV光刻机器主要是三个主要系统S，尤其是光源系统，镜头系统和工作台的目的。其中，光源系统是主要的。 SO称为的光源系统是如何稳定而高效地生产13.5nm浓烈的紫外线。扩展全文 ASML方法是用直径为30微米的靶锡液滴照射高功率二氧化碳激光脉冲，激发高功率13.5 nm等离子体，并将其用作轻型光刻机器。 该程序的最大缺点是什么？这是转化率的效率太低，只有大约3％，即输入强度的100W，最终只能具有3W的输出强度。这也是EUV光刻机器是主要力量的原因。 最近，中国研发团队在EUV Light Generation中取得了重大突破。 上海光学与机械工程学院的林南团队宣布，它已在严重的紫外线上受到损害EUV资源平台，更靠近EUV光刻机器的开发。 Lin Nan的团队在该州使用了实心激光驱动技术，激发了用1μm固体激光器的SN血浆，这也可能产生13.5 nm的强烈紫外线。 此外，该方法的最大转化效率可能接近6％，高于所使用的二氧化碳激光脉冲GI GIASML，几乎是两次。 我认为有些人会认为这是不可靠的，所以我会再次谈论它。林南不是普通人。他以前曾是ASML研究和开发的科学家，也是研发部门的光资源技术负责人。 2021年，林南（Lin Nan）作为该国的国外高水平返回中国，在该国服务。 在加入ASML之前，他在2023年诺贝尔奖获得者Anne L'Huillier的奖项下学习。显然，在这一领域，可以说他经历了大名，熟练和能够拥有大人物的人物。 林NAN目前的研究已在2025年发表在第六期《中国激光》中。 但是，在回应中国的EUV光源的发展时，ASML首席执行官Christop Fukai表示，中国可以创造一些EUV的来源，但EUV光刻机器不仅是EUV光源。如果要创建EUV灯，您会发现这不仅是EUV灯光源。中国可能需要很多年才能雕刻机器。 我必须说，他在说的是事实，但是只要我们可以破坏这些基本系统，我们就不会远离EUV光刻机器，我们越来越近。回到Sohu看看更多